杏彩官方网址:简化电流感应如何使用电流检测放大器进行设计（五）

　　作者：Scott Hill, Dennis Hudgins, Arjun Prakash, Greg Hupp, Scott Vestal, Alex Smith, Leaphar Castro, Kevin Zhang, Maka Luo, Raphael Puzio, Kurt Eckles

　　：简介 在解决与为成本优化型应用设计精确电流测量电 路相关的难题时，设计人员面临着很多选择。方 法非常广泛， 从使用通用运算放大器或模数转换器 (ADC)（无论 是独立工具还是嵌入到微 (MCU) 中），到 利用各种专门为电流检测而设计的定制组件，不仅 可以提供最大的灵活性，而且能够以特定方式解决难题。 ​另一个难题是如何快速有效地缩小选择范围，找到 与您的特定系统要求最为匹配的潜在器件。TI 应 用手册通过解决特定用例，重点介绍如何识别 电路/功能问题，以及简要介绍与该功能 相关的任何难题，从而

　　第 3 章：开关系统中的电流检,测具有增强型 PWM 抑制功能的低漂移、精密直列式电机电流测量

　　第 5 章：宽 VIN 和隔离式电流测量,将差分输出（隔离式）放大器连接到单端输入 ADC(√）

　　无论您是检测工业三相伺服电机系统、电动汽车电池管 理系统还是光伏逆变器中的电流，通常都需要包含某种 安全隔离方案。安全相关标准定义了与特定设计相关的 终端设备特定隔离要求。确定所需安全绝缘级别（基本、补充或增强）需要考虑各种因素，具体取决于设备 类型、所涉及的电压水平以及设备的安装环境。

　　TI 提供了各种用于电压和电流 分流检测的隔离式分流放大器，可满足基本或增强型隔离要求。对于需要增强型隔离的应用，AMC1301 输出 围绕 1.44V 共模电压变化的全差分信号，可以直接馈送 到独立模数转换器 (ADC) 中（如图 1 所示），或者馈 送到 MSP430TM和 C2000TM微系列的板载 ADC 中。

　　MSP430 和 C2000 处理器系列都具有嵌入式单端输入 ADC - 因此问题 变为“如何将该差分信号传输到我的 单端数据转换器中？”为达到这一目标，最简单的方法 是仅使用 AMC1301 的一个输出，将第二个输出悬空。 该解决方案的缺点是数据转换器只能使用一半的输出电 压摆幅，从而降低了测量的动态范围。AMC1301 的模拟 输入范围是 ±250mV。在 8.2 的固定增益下，VOUTN 和 VOUTP 电压为 ±1.025V，围绕 1.44V 共模输出电 压变化，如图 2 所示。差分输出电压为 ±2.05V。

　　通过添加差分转单端放大器输出级（如图 3 所示）， 使 ADC 能够实现 AMC1301 的整个输出范围。

　　在公式 1 中为 R1 至 R4 使用等值电阻器并将 VCM 设 置为 2.5V，则公式 1 简化为公式 2：

　　图 4 显示了 AMC1301 的输入和输出电压， 最终差分转单端输出级的输出电压。全新 差分电压可转换为 0.5V 至 4.5V 的单端信号。

　　根据 ADC 的输入电压范围，您可以将增益或衰减纳入差分转单端级，以调整输出摆幅。输出共模电压是可调的，以供同时满足 ADC 的输入需求。

　　大多数 MSP430 器件上的嵌入式 ADC 在使用内部电压 基准时的输入电压范围为 0V-2.5V。使用 AMC1301 的 VOUTP 将为 ADC 提供 0.415V 至 2.465V 的输入信 号，该信号完全处于转换器的输入范围内，同时仅使用 AMC1301 的一半输入范围。如图 5 所示，通过使用增 益为 0.5 的差分转单端放大器配置和 1.25V 的共模电压，AMC1301 的整个电压范围适用 于 ADC。

　　以 MC1301 的单个输出来驱动使 单端 ADC，但在输出端添加虽用 差分转单端运算放大器级可然A确保目标应用具有最大的可能动态范围。

　　AMC1100 或 AMC1200 以较低的价格提供与 AMC1301 性 能类似的基本隔离。对于需要双极输出选项的应用， TLV170 是很好的选择。

　　对于高侧电源电流检测需求，您必须了解电源的最大电压额定值。最大电源电压将决定电流检测放大器的选 择。电流检测放大器的共模电压应超过电源上的最大电 压。例如， 如果您要在瞬态电压不超过 96V 的 48V 电源上测量 电流，则需要设计一个最大共模电压支持 96V 的电流 检测放大器。

　　对于一个 400V 电源，您需要选择共模 电压支持 400V 的电流检测放大器。 如果您需要实现小于 1% 精度的目标，那么高压、高侧电流检测的成本可能会很昂贵。对于高于 90V 的 共模电压，电流检测放大器的选择通常 仅限于可能很昂贵且需要庞大物料清单 (BOM) 的隔离 技术。但是，通过添加一些廉价的外部组件（如电阻 器、二极管和 P 沟道金属氧化物半导体 (PMOS) 场效 应晶体管 (FET)，可以将低压共模电流检测放大器扩展到超出其最大额定值。

　　监测高压高侧电流检测的 最简单方法是在设计中采用具有外部输入电压分压器 的低压电流检测放大器。例如，如果您为 80V 应用 选择 40V 共模电压放大器，则需要 将 80V 输入共模电压 拆分为 40V 共模电压。您可以使用外部电阻分压器来拆分该 电压，如图 1 所示。

　　不过，这是一种简单的设计方法，其优缺点很明显。 放大器的增益误差和共模抑制比 (CMRR) 取决于外部输入分压器电阻器的精度和匹配度。除了增益误差和 CMRR 误差之外，外部电阻 器的容差也会引起输入电压的不平衡，从而导致额外的输出误差。

　　此误差会随温度的升高而增加，具体取决于电阻器的漂移规格。 一种最大程度地减小输出误差的方法是使用匹配 0. 1% 精度的低温度漂移外部电阻分压器。

　　由于分压器具有输出误差和性能下降的严重后果，因此 另一种方法是将电流输出放大器的接地基准移到高压共 模节点，如图 2 所示。图 2 允许在超出 INA168 额定 共模电压 (60V) 的更高电压下进行电流检测。 通过设计适当的 PMOS FET (Q1)，您可将此技术扩展到任何超 过 60V 的电压。

　　在图 2 中，齐纳二极管 DZ1 用于调节电流分流工作的电源电压，该电压会相对于电源电压浮动。 DZ1 可在预期的电源电压范围（通常为 5.1V 至 56 V）内为 IC1 和 Q1 的组合提供足够的工作电压。选 择 R1 可将 DZ1 的偏置电流设置为某个大于 IC1 最 大静态电流的值。

　　图 2 中显示的 INA168 在 400V 时的最大额定值 为 90μA。DZ1 中的偏置电流在 400V 时约为 1m A，远高于 IC1 的最大电流（所选的偏置电流值 可以将 R1 中的耗散限制为小于 0.1W）。将 P 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) Q1 连接到共源共栅放大器，可将 IC1 的输出电流降至接地 电平或更低。晶体管 Q1 的 额定电压应比总电源与 DZ1 之间的差值高几伏特，因 为 Q1 源极上会出现向上电压摆动。选择 RL（IC1 的 负载电阻器）时假设 IC1 是单独使用的。Q1 的共源共 栅放大器连接可确保使用 IC1 时可远高于其正常的 60 V 额定值。图 2 中显示的示例电路是专为 400V 工作电压设计的。

　　扩展功率监视器的共模电压范围高压系统（40V 至 400V）的系统优化和功耗监控若经过精确实施，可以改善系统功耗管理和效率。了解电流、电压和系统功耗信息有利于诊断故障或计算系统的总功耗。监控故障和功耗优化可防止过早出现故障并显著降低功耗（通过优化系统关闭和唤醒）。

　　图 3 说明了如何在支持 40V 至 400V 系统的应用中采 用 36V 共模电压功耗件 INA226。图 2 显示了用于将分流电阻器上的感应电压镜像到精密电阻器 R1 上的精密轨至轨 OPA333 运算放大器。 OPA333 在其电源引脚之间使用 5.1V 齐纳二极管浮动高达 400V。

　　该运算放大器用于驱动电流跟随 器配置中的 600V PFET 的栅极。通过选择低泄漏 PF ET，即使在测量的低端也能获得准确的读数。R1 上的电压可设置 FET 的漏极电流。

　　通过使 FET 漏极中的电阻器 R2 匹配为等于 R1，R2 上将形成 VSEN SE 电压 (VR2)。INA226 电流的输入端连接在 R2 上，用于电流检测。因此，该电流不需要高共模能力，因为它只能检测到在 VSENSE（通常小于 100mV）左右徘徊的共模电压。INA226 是具有 I2C 接口的高精度电流/电压/功率。

　　INA226 还可以检测小于 36V 的总线电压。由于此处使用的总线V，因此采用分压器将高压总 线 共模范围内的电压。采用 64 的比率后，总线电压的最低有效位 (LSB) 可以相应地增减， 以获得实际的总线电压读数。在这种情况。